設備(bei)用(yong)途：

CKG-60三靶共濺薄膜制備系統金屬和合金薄膜、半導體薄膜、磁性材料薄膜、氧化物和氮化物等電介質薄膜、新型功能薄膜、多層薄膜、多元彌散復合膜的制備。

主要(yao)配置及特點(dian)：

主要由不銹鋼真空室，真空及測量系統，供氣及流量控制系統，多樣品轉臺（加熱、水冷、多層膜），膜厚儀，磁控靶（RF&DC），射頻、直流電源，電氣控制系統以及水冷系統等組成。采用磁控濺射方式沉積薄膜，可用于制備半導體薄膜、金屬薄膜、磁性材料薄膜，以及氧化物、氮化物薄膜等電介質薄膜。工作方式包括單靶獨立濺射沉積、程控輪流分層濺射沉積多層膜、三靶共濺射沉積彌散復合膜等。本系統所制備薄膜的均勻性較好（±5%）。

技術(shu)指標：

1）真空系統采用機械泵－渦輪分子泵復合系統，30分鐘真空度可達到6×10-4 Pa；

2）經(jing)48小時連續烘烤(kao)（120℃），磁控(kong)濺射室(shi)優(you)于8×10-6 Pa；

3）濺射(she)功率：＜3000W；

4）基片加熱溫度：室溫～800℃；

5）基片(pian)最(zui) 高偏(pian)壓(ya)：－200V；

6）膜厚不均勻性：±5%范(fan)圍內；

7）靶片直徑：76mm；

8）樣品(pin)直徑：76mm。