設備用途：

磁控與離子束復合系統用于納米級單層及多層功能膜、 硬質膜、 金屬膜、 半導體膜、 介質膜、 鐵磁膜和磁性薄膜等的制備。 可廣泛應用于半導體、 微電子及新材料領域。

設(she)備組成：

系統主要由濺射真空室、 磁控濺射靶、 基片水冷加熱公轉臺、 Kaufman 離子槍、 四工位轉靶、 工作氣路、 抽氣系統、 真空測量、 電控系統及安裝機臺等部分組成。

技(ji)術(shu)指標：

極(ji)限真空度(du)：≤6.67×10-5 Pa (經(jing)烘烤(kao)除氣(qi)后)；

系統真(zhen)空檢漏漏率：≤5.0×10-7 Pa.l/S；停機12小時≤5Pa.

系統短(duan)時間(jian)暴露大氣并充干燥氮(dan)氣后，再開始抽氣，45分鐘可達到(dao)6.67×10-4Pa；

系統(tong)主要由蒸發真空(kong)室、E型電子槍、熱(re)蒸發電極、旋轉(zhuan)基片加熱(re)臺、工作氣(qi)路、抽氣(qi)系統(tong)、真空(kong)測量(liang)、安裝機臺及電控系統(tong)等(deng)部(bu)分組成(cheng)。