設備用途：

JGP-560型雙室磁控濺射系統用于納米級單層及多層功能膜、 硬質膜、 金屬膜、 半導體膜、 介質膜等新型薄膜材料的制備。可廣泛應用于大專院校、 科研院所的薄膜材料科研與小批量制備。

設備組成：

主要由主濺射真空室、 磁控濺射靶、 基片水冷加熱臺、 進樣室、 樣品庫、 退火爐、 反濺靶、磁力送樣機構、 工作氣路、 抽氣系統、 安裝機臺、 真空測量及電控系統等部分組成。

技術指標(biao)（以下(xia)技術指標(biao)均可根(gen)據(ju)客戶(hu)要求進(jin)行改變）：

1、采用單室立式(shi)前開門立式(shi)結構(gou)，換樣(yang)進樣(yang)操作方便(bian)，不銹鋼材料(liao)和真(zhen)空材料(liao)。

2、極限(xian)真(zhen)空(kong)度(du)(du)：濺射室(shi)極限(xian)真(zhen)空(kong)度(du)(du)≤5×10-5Pa； 抽(chou)(chou)速：當一(yi)次(ci)試驗完成后，在真(zhen)空(kong)狀態下，關閉分(fen)子(zi)(zi)泵(beng)上(shang)方(fang)的(de)(de)閘(zha)板閥（此(ci)時分(fen)子(zi)(zi)泵(beng)正常工作），對真(zhen)空(kong)室(shi)沖入干(gan)燥氮氣(qi)至一(yi)個大氣(qi)壓后（前開門(men)處于關閉狀態）停止(zhi)充氣(qi)，采用旁抽(chou)(chou)閥門(men)和管路對真(zhen)空(kong)室(shi)抽(chou)(chou)真(zhen)空(kong)，當達(da)到10Pa或者(zhe)更(geng)高時，打開分(fen)子(zi)(zi)泵(beng)上(shang)方(fang)的(de)(de)閘(zha)板閥，關閉旁抽(chou)(chou)閥，100min后，工作真(zhen)空(kong)度(du)(du)可(ke)達(da)到：5×10-4Pa； 壓升率：停泵(beng)關機12小時后真(zhen)空(kong)度(du)(du)≤10Pa； 系統漏率：5×10-7PaL/S； 真(zhen)空(kong)機組采用國(guo)產分(fen)子(zi)(zi)泵(beng)+國(guo)產機械泵(beng)抽(chou)(chou)氣(qi)系統。

3、磁(ci)(ci)控(kong)靶(ba)(ba)(ba)及電源(yuan)：3英寸磁(ci)(ci)控(kong)靶(ba)(ba)(ba)3個(ge)(ge)，其中(zhong)兩個(ge)(ge)為(wei)(wei)標準磁(ci)(ci)場(chang)磁(ci)(ci)控(kong)靶(ba)(ba)(ba)，一個(ge)(ge)為(wei)(wei)強磁(ci)(ci)場(chang)磁(ci)(ci)控(kong)靶(ba)(ba)(ba)。磁(ci)(ci)控(kong)靶(ba)(ba)(ba)即可直流也可射頻；RF電源(yuan)一臺(tai)，功(gong)率(lv)600w，13.56MHz，自動(dong)匹配；DC兩臺(tai)，功(gong)率(lv)500w；當直濺(jian)射鍍(du)鍍(du)制多層(ceng)膜時，靶(ba)(ba)(ba)與樣品之間(jian)的(de)距(ju)離為(wei)(wei)40mm～120mm

4、樣品(pin)臺(tai)：樣品(pin)臺(tai)最 高的加(jia)溫(wen)(wen)溫(wen)(wen)度為500℃，程序控溫(wen)(wen)；升溫(wen)(wen)速率、恒溫(wen)(wen)時間可控；

5、膜厚要(yao)求：Cu、Al膜的(de)(de)厚度為(wei)4～5微米，Ni、聚四氟(fu)乙烯膜的(de)(de)厚度在(zai)1～2微米時，在(zai)2英寸范(fan)圍(wei)內(nei)，膜的(de)(de)厚度均勻性在(zai)5%以(yi)內(nei)。

6、附著(zhu)力要(yao)求(qiu)：薄膜與玻璃片、硅片或者陶瓷基底的附著(zhu)力能夠承受3次膠(jiao)帶拉伸(shen)試驗，薄膜沒有被破壞。

7、樣品具(ju)有反(fan)濺射功能(neng)，可對(dui)樣品進(jin)行鍍(du)前預清洗(xi)。

8、設備配有陽極層離(li)子源，可對(dui)樣品進行(xing)清(qing)洗(xi)，同時，可在鍍膜時，對(dui)樣品進行(xing)輔助(zhu)沉積。

9、工(gong)(gong)藝氣(qi)體(ti)：工(gong)(gong)作氣(qi)路2路：獨(du)立(li)質量(liang)流量(liang)控(kong)制器2路，用于反應(ying)氣(qi)體(ti)進氣(qi)和(he)氬氣(qi)氣(qi)路，采用質量(liang)流量(liang)計(ji)；具(ju)有混氣(qi)功能；腔內氣(qi)壓(ya)可測可調可控(kong)。

10、濺射室烘烤照明：采用紅外(wai)加熱除氣(qi)方式，烘烤溫度：150℃。

11、真空室內有襯板，避免濺(jian)(jian)射(she)材料直接濺(jian)(jian)射(she)到濺(jian)(jian)射(she)室真空壁上。（在后面表格體現(xian)）

12、設備具有斷水(shui)斷電連鎖保(bao)護(hu)功(gong)能(neng)，有防止誤操作(zuo)保(bao)護(hu)功(gong)能(neng)。

13、系統采用計算(suan)機(ji)控(kong)制膜制備過程，整個鍍膜過程可在電腦界面上操(cao)作，程序控(kong)制切換靶(ba)(ba)材；鍍膜過程由計算(suan)機(ji)軟(ruan)件(jian)系統控(kong)制完成，包括計算(suan)機(ji)硬(ying)件(jian)、軟(ruan)件(jian)等，可控(kong)制靶(ba)(ba)擋板、樣品轉(zhuan)動(dong)、樣品控(kong)溫等。