設備用途

JGP-450型單室磁控濺射系統用于納米級單層及多層功能膜、 硬質膜、 金屬膜、 半導體膜、 介質膜等新型薄膜材料的制備。可廣泛應用于大專院校、 科研院所的薄膜材料科研與小批量制備。

◆設備組成

系統主要由濺射真空室、 磁控濺射靶、 基片水冷加熱臺、 工作氣路、 抽氣系統、 真空測量、 電控系統及安裝機臺等部分組成。磁力送樣機構、 工作氣路、 抽氣系統、 安裝機臺、 真空測量及電控系統等部分組成。

◆技(ji)術(shu)指(zhi)標

極限真空度：≤6.6×10-5 Pa (經烘烤除(chu)氣后)；

系統真空檢(jian)漏漏率：≤5.0×10-7 Pa.l/S；

系(xi)統短時間暴露大氣并充干(gan)燥氮氣后，再開始抽氣，40分鐘可(ke)達到8.0×10-4 Pa；

停泵關機12小時后真(zhen)空度：≤5 Pa；

磁(ci)控濺射設(she)備性(xing)能舉(ju)例：

1.用(yong)直流電(dian)源磁控沉(chen)積金屬Cu膜(mo)(mo)，可(ke)以(yi)制(zhi)備出(chu)沉(chen)積速度40nm/min的(de)膜(mo)(mo)層；同時(shi)小樣品(pin)的(de)膜(mo)(mo)厚均勻性可(ke)以(yi)達到3％；可(ke)以(yi)在硬質和(he)柔性沉(chen)底生(sheng)長膜(mo)(mo)層；常溫也可(ke)以(yi)沉(chen)積Cu膜(mo)(mo)，不脫落，但是結(jie)合力不好；

2.用射(she)頻(pin)電源磁(ci)控(kong)沉(chen)積氧化(hua)硅和(he)氧化(hua)鋁(lv)膜(mo)層(ceng)（等各頭氧化(hua)物薄膜(mo)），可(ke)以制備出沉(chen)積速度3—5nm/min的膜(mo)層(ceng)；小樣品膜(mo)層(ceng)厚度均勻性可(ke)以達到3％；膜(mo)層(ceng)的介電性能較好；

系統(tong)主要由(you)濺射真(zhen)空室、磁控濺射靶(ba)、基(ji)片加熱公自轉臺、工作氣(qi)路、抽(chou)氣(qi)系統(tong)、安裝機臺、真(zhen)空測量(liang)及電控系統(tong)等(deng)部分組成。