磁控濺射的鍍膜過程有哪些？

氣(qi)體(ti)(ti)放(fang)(fang)電(dian)(dian)：輝光(guang)(guang)放(fang)(fang)電(dian)(dian)產生(sheng)等(deng)離子體(ti)(ti)，使工(gong)作氣(qi)體(ti)(ti)離化，產生(sheng)陽離子，在電(dian)(dian)場(chang)作用下轟(hong)擊(ji)陰，并(bing)伴有二次電(dian)(dian)子發(fa)射(she)等(deng)現象(xiang)出(chu)現。對(dui)輝光(guang)(guang)放(fang)(fang)電(dian)(dian)等(deng)離子體(ti)(ti)的(de)研究(jiu)是研究(jiu)濺射(she)沉積過程的(de)必(bi)由之路(lu)。

濺(jian)(jian)射碰(peng)撞：濺(jian)(jian)射碰(peng)撞一(yi)般(ban)是研究帶電荷能離子(zi)與靶材(cai)(cai)表(biao)層粒(li)子(zi)相互作用，并(bing)伴隨靶材(cai)(cai)原(yuan)子(zi)及原(yuan)子(zi)團簇(cu)的產生的過程。應用較多的理論(lun)(lun)是級聯(lian)碰(peng)撞理論(lun)(lun)。SRIM等較成熟的模擬軟(ruan)件(jian)已經在模擬濺(jian)(jian)射過程中(zhong)得到了廣(guang)泛應用。

輸(shu)(shu)運(yun)(yun)(yun)過程：靶材(cai)原子(zi)以一(yi)定的初始速(su)度向(xiang)基(ji)(ji)(ji)片和(he)(he)(he)其它表面的運(yun)(yun)(yun)動(dong)(dong)(dong)，伴隨能(neng)(neng)量(liang)(liang)和(he)(he)(he)動(dong)(dong)(dong)量(liang)(liang)的改變，并(bing)終(zhong)獲得(de)凈的定向(xiang)輸(shu)(shu)運(yun)(yun)(yun)量(liang)(liang)(粒(li)(li)子(zi)數)。在(zai)外(wai)加場(質(zhi)量(liang)(liang)，動(dong)(dong)(dong)量(liang)(liang)，能(neng)(neng)量(liang)(liang))作用(yong)下(xia)，輸(shu)(shu)運(yun)(yun)(yun)過程更加復雜。常用(yong)MC方法(fa)和(he)(he)(he)其它方法(fa)(PIC，CIC，CFD等方法(fa))的混合(he)應用(yong)來獲得(de)基(ji)(ji)(ji)片上沉(chen)積(ji)粒(li)(li)子(zi)的數量(liang)(liang)。簡化(hua)(hua)的粒(li)(li)子(zi)輸(shu)(shu)運(yun)(yun)(yun)計算方法(fa)是將沉(chen)積(ji)粒(li)(li)子(zi)劃分(fen)為快速(su)運(yun)(yun)(yun)動(dong)(dong)(dong)(不(bu)發(fa)生碰(peng)撞(zhuang)，直接到(dao)達基(ji)(ji)(ji)片表面)和(he)(he)(he)慢(man)速(su)運(yun)(yun)(yun)動(dong)(dong)(dong)(發(fa)生碰(peng)撞(zhuang)，通過擴散運(yun)(yun)(yun)動(dong)(dong)(dong)達到(dao)基(ji)(ji)(ji)片表面)兩類粒(li)(li)子(zi)。氣體加熱、稀薄化(hua)(hua)及濺(jian)射風(高能(neng)(neng)中性(xing)粒(li)(li)子(zi))等效應均(jun)是氣體與(yu)帶有(you)能(neng)(neng)量(liang)(liang)的粒(li)(li)子(zi)通過碰(peng)撞(zhuang)發(fa)生動(dong)(dong)(dong)量(liang)(liang)和(he)(he)(he)能(neng)(neng)量(liang)(liang)交換的結果。

薄膜(mo)(mo)生長：基片上(shang)靶材原(yuan)子發生擴散、遷移(yi)和(he)(he)聚集(ji)等運動，終生長成膜(mo)(mo)。薄膜(mo)(mo)的(de)(de)(de)(de)屬性(xing)和(he)(he)基片的(de)(de)(de)(de)溫度、晶(jing)格常數(shu)、表(biao)面狀(zhuang)態和(he)(he)電磁(ci)場等有著密切關(guan)系。鍍膜(mo)(mo)后期的(de)(de)(de)(de)處理，如退火等工藝，都會(hui)嚴重影響薄膜(mo)(mo)的(de)(de)(de)(de)屬性(xing)。一般采用MC等方法模擬(ni)薄膜(mo)(mo)生長。同時(shi)，一些公司的(de)(de)(de)(de)專(zhuan)業軟件可(ke)以實(shi)現膜(mo)(mo)系的(de)(de)(de)(de)設(she)計。

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