在磁控濺射過程中，具體工藝過程對薄膜性能影響很大，主要工藝流程如下：

（1）基(ji)(ji)片清洗，主要是用(yong)(yong)異(yi)丙醇(chun)蒸汽清洗，隨(sui)后用(yong)(yong)乙醇(chun)、丙酮浸泡基(ji)(ji)片后快速烘干，以(yi)去除表面油污；

（2）抽真空，真空須控制(zhi)在(zai)2 × 104 Pa以(yi)上(shang)，以(yi)保證薄(bo)膜的純(chun)度；

（3）加熱，為了除去基(ji)片表面水分，提高膜與基(ji)片的結合力，需(xu)要對基(ji)片進行(xing)加熱，溫(wen)度一般選(xuan)擇在150 ℃~200 ℃之間；

（4）氬氣(qi)(qi)分壓(ya)，一(yi)般選擇在(zai)0.01一(yi)lPa范圍內，以滿足輝光放電的(de)氣(qi)(qi)壓(ya)條(tiao)件；

（5）預濺射，預濺射是通過離子轟(hong)擊以(yi)除去靶材(cai)表(biao)面氧(yang)化膜，以(yi)免影響薄(bo)膜質量；

（6）濺(jian)射，氬氣(qi)電離(li)后(hou)形成的正離(li)子在正交的磁場和電場的作用(yong)下，高(gao)速(su)轟擊(ji)靶(ba)材，使濺(jian)射出的靶(ba)材粒子到(dao)達基片表面沉積成膜；

（7）退火，薄(bo)膜(mo)與基片的熱膨脹系(xi)數有(you)差異(yi)，結合(he)力小，退火時薄(bo)膜(mo)與基片原(yuan)子相互擴散(san)可以有(you)效(xiao)提(ti)高(gao)粘著力。

磁控濺射鍍膜技術由于其顯著的優點已經成為制備薄膜的主要技術之一。非平衡磁控濺射改善了等離子體區域的分布，顯著提高了薄膜的質量。中頻濺射鍍膜技術的發展有效克服了反應濺射過程中出現的打弧現象，減少了薄膜的結構缺陷，明顯提高了薄膜的沉積速率。高速濺射、高能脈沖磁控濺射鍍膜技術為濺射鍍膜開辟了嶄新的研究領域。在未來的研究中，新濺射技術向生活領域的推廣、磁控濺射鍍膜技術與計算機的結合都將成為研究熱點，利用計算機模擬鍍膜時的磁場、電場、溫度場、以及等離子體的分布，必將能給濺射鍍膜技術的發展提供巨大的擴展空間，推動磁控濺射鍍膜技術向工業及生活領域轉化。

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